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    中頻電爐可控硅的故障分析
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    中頻電爐可控硅的故障分析

    廠家:中頻電爐可控硅的故障分析 日期::2020-01-09 瀏覽次數(shù): 196
    大家都知道可控硅是中頻電爐中頻電源的心臟,它的正確使用對(duì)設(shè)備的運(yùn)行至關(guān)重要。中頻電爐使用過程中偶爾損壞幾只可控硅尚屬正常,如果經(jīng)常燒硅,就要引起警覺了。可控硅的工作電流幾千安,電壓通常在一兩千伏,良好的主控板保護(hù)和良好的水冷條件是必備的。

    可控硅的散熱器結(jié)構(gòu):水冷空腔+多銅柱支撐。如果循環(huán)水太硬,就會(huì)在水腔內(nèi)部結(jié)垢,造成散熱不良;如果水腔內(nèi)進(jìn)入樹葉等雜物,也會(huì)造成水流不暢。

    可控硅的超負(fù)荷特性:可控硅的損壞稱為擊穿。在正常的水冷條件下,電流超負(fù)荷能力可達(dá)110%以上;無電壓超負(fù)荷能力,就是說,硅在超壓情況下,是肯定損壞的。再考慮到浪涌電壓,廠家在制造設(shè)備時(shí),往往都按工作電壓的3-4倍值來選擇硅元件。

    可控硅的出廠測試溫度是100℃(結(jié)溫),一般情況下,電柜循環(huán)水溫保持在45℃以下就能保證它的正常工作。手持式紅外線測溫儀非常有用,350℃的測溫儀才幾百元,不太貴。用它來測量正在工作電源的可控硅溫度及散熱器溫度,可及時(shí)發(fā)現(xiàn)異常點(diǎn),處理故障。

    頻繁燒壞可控硅元件,更換新可控硅后,馬上燒壞的原因有如下幾點(diǎn):
    1、脈沖觸發(fā)回路故障——在設(shè)備運(yùn)行時(shí)如果突然丟失觸發(fā)脈沖,將造成逆變開路,中頻電源輸出端產(chǎn)生高壓,燒壞可控硅元件。這種故障一般是逆變脈沖形成、輸出電路故障,可用示波器進(jìn)行檢查,也可能是逆變脈沖引線接觸不良,可用手搖晃導(dǎo)線接頭,找出故障位置。
    2、可控硅在反相關(guān)斷時(shí),承受反向電壓的瞬時(shí)毛刺電壓過高——在中頻電源的主電路中,瞬時(shí)反相毛刺電壓是靠阻容吸收來吸收的。如果吸收電路中電阻、電容開路均會(huì)使瞬時(shí)反相毛刺電壓過高燒壞可控硅。在斷電的情況下用萬能表測量吸收電阻阻值、吸收電容容量,判斷是否阻容吸收回路出現(xiàn)故障。
    3、電抗器故障——電抗器內(nèi)部打火造成逆變側(cè)的電流斷續(xù),也會(huì)在逆變輸入側(cè)產(chǎn)生高壓燒壞可控硅。另外,如果在維修中更換了電抗器,而電抗器的電感量、鐵芯面積小于要求值,會(huì)使電抗器在大電流工作時(shí),因飽和失去限流作用燒壞可控硅。
    4、設(shè)備在運(yùn)行時(shí)負(fù)載開路或短路——當(dāng)設(shè)備正在大功率運(yùn)行時(shí),如果突然負(fù)載處于開路狀態(tài),將在輸出端形成高壓燒壞可控硅元件。當(dāng)設(shè)備在大功率運(yùn)行時(shí),如果負(fù)載突然處于短路狀態(tài),將對(duì)可控硅有一個(gè)很大的短路電流沖擊,若過電流保護(hù)動(dòng)作來不及保護(hù),將燒壞可控硅元件。
    5、保護(hù)系統(tǒng)故障(保護(hù)失靈)——可控硅能否安全,主要是告保護(hù)系統(tǒng)來保證的,如果保護(hù)系統(tǒng)出現(xiàn)故障,設(shè)備稍有一點(diǎn)工作不正常,將危機(jī)到可控硅安全。所以,當(dāng)可控硅燒壞時(shí)對(duì)保護(hù)系統(tǒng)的檢查是必不可少的。
    6、負(fù)載對(duì)地絕緣降低——負(fù)載回路的絕緣降低,引起負(fù)載對(duì)地間打火,干擾了脈沖的觸發(fā)時(shí)間或在可控硅兩端形成高壓,燒壞可控硅元件。
    7、可控硅冷卻系統(tǒng)故障——水冷的應(yīng)用較為廣泛,風(fēng)冷一般只用于100KW以下的電源設(shè)備。通常采用水冷方式的中頻電爐設(shè)備均設(shè)有水壓保護(hù)電路,但基本上都是總進(jìn)水的保護(hù),若某一路出現(xiàn)水堵,是無法保護(hù)的。可控硅在工作時(shí)發(fā)熱量很大,需要對(duì)其冷卻才能保證正常工作。

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